隨著車用電子、5G通訊和綠色能源等應用需求漸增，對於高功率、高射頻和高可靠性解決方案的需求漸長，以氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)為主的第三代半導體材料近年來備受矚目。在化合物半導體革新潮流來臨之際，台灣必須善用自身的產業特色，以開創新局 並維持競爭力。
鴻海研究院將於9月6日再度攜手SEMICON Taiwan舉辦「NExT Forum」，以「EV Makes a Better Life – Communication, Sensing, Power」為主題，邀請包括MIH、STMicroelectronics、 Transphorm、Beneq等業界高階主管，更有來自Yole的資深分析專家，深入探析化合物和車用半導體的技術趨勢和應用，進一步強化台灣產業實力，並在下一代化合物半導體市場中鞏固地位，也藉此建立產學交流的平台，打造「More than Moore」新世代半導體應用路徑。
攜手產學界開創新模式，半導體所研究成果斐然
鴻海研究院半導體所長郭浩中表示，半導體所致力於次世代化合物半導體研發，主要研究方向涵蓋第三代半導體、功率元件和前瞻奈米光學技術，而這些研究領域可以細分為兩大方向：「高壓高功率碳化矽元件與模組」及「整合氮化鎵高遷移率電晶體功率元件與 新穎面射型雷射光源供應先進光達系統之應用」。近年來研究成果斐然，至今已發表超過70篇論文，並成功提交20項以上的專利申請，為鴻海科技集團在化合物半導體領域奠定堅實的技術基礎。
在研究和開發方面，主要遵循中研院院士、鴻海研究院諮詢委員張懋中所提出的「Best Junction for the Function」原則，透過與產業界、學術界的合作共同開發車用關鍵零組件。合作夥伴包括鴻揚半導體和能創半導體等集團內的單位，近年來更是積極連結產學研究能量，並與陽明交通大學及鴻揚半導體攜手合作，共同致力於高壓碳化矽元件的開 發，成功解決碳化矽元件的技術痛點。例如共同研發的1700V碳化矽元件，不但崩潰電壓超過2000V，其BFOM更可達1.1GW/cm²，更可在1100V/110A下正常開關操作，展現優異 的動靜態特性，成果令人驚艷。
此外，經過雙脈衝測試（DPT），封裝元件在高功率操作下依然能實現正常切換運作，其切換性能甚至媲美國際頂尖大廠的元件；且晶片的良率更高達九成以上。郭浩中說，研究所還致力於開發下一代的溝槽式元件，這也是極具技術挑戰性的領域。除了元件的開 發，半導體研究所將專注於更高電壓範圍的研究和開發，不僅是為了提供更多元件選擇 和更優異的技術創新，更能滿足不斷增長的市場需求，也為集團的科技轉型開闢更多可能性。
值得一提的是，半導體研究所還自主研發了高可靠性和可信度的驗證平台，不僅為研究 院自身開發的元件提供驗證服務，這將有助於確保元件質量和可靠性，並提供技術支持 和專業建議，還可為集團的元件開發提供驗證和諮詢支持。
郭浩中說，為推動鴻海科技集團的科技轉型和加強3+3策略，半導體所已制定一項為期 五年的計劃，旨在研究和開發解決未來3到7年技術難題，將專注於優化現有元件、開發 新型元件並提供驗證服務，以建立鴻海自有的關鍵技術，在未來市場中取得競爭優勢。
結合新世代通訊技術，實現車聯網未來
郭浩中更特別提到，鴻海將在今年發射首顆低軌衛星，不僅意味其在造車領域的進一步發展，更象徵著「車聯網」的真正實現，將使電動車成為串聯海陸空通訊行動基地台的一 部分。在萬物互聯的時代，連結不同世代的通訊技術，創造出無限可能。新世代通訊技術，包括5G、B5G甚至低軌衛星（LEO Satellite），將成為發展機器人和電動車的關鍵。
因此，研究院也會靈活運用B5G/6G的技術特點，發揮最大通訊能力，專注於智慧車聯網 領域及相關技術，同時探索低軌衛星通訊技術及其垂直應用，建立一個將地面和空中聯繫在一起的3D行動通訊網絡。這項努力將不僅影響車聯網，還將對多個行業產生深遠影響，為未來的科技發展帶來新的前景。
「NExT Forum」將為臺灣半導體產業帶來新的發展契機，促進科技交流與創新，共同開創 「More than Moore」新世代半導體的應用前景。有關論壇的詳細資訊，請持續關注鴻海研 究院和SEMICON Taiwan的官方網站。
資料來源:鴻海科技集團
