- 同意 Soitec 技術用於未來 200mm SiC 基板生產
- 關鍵的使能半導體技術支持向電動汽車過渡並提高工業系統的能源效率
意法半導體（紐約證券交易所股票代碼：STM）是一家為電子應用領域的客戶提供服務的全球半導體領導者，它與設計和製造創新半導體材料的領導者 Soitec（巴黎泛歐證券交易所）宣布他們在碳化矽 (SiC) 方面的下一階段合作ST 計劃在未來 18 個月內對 Soitec 的 SiC 襯底技術進行鑑定。此次合作的目標是 ST 在其未來的 200mm 基板製造中採用 Soitec 的 SmartSiC™ 技術，為其器件和模塊製造業務提供支持，並有望在中期實現量產。
“向 200mm SiC 晶圓的過渡將為我們的汽車和工業客戶帶來巨大優勢，因為他們會加速向其係統和產品的電氣化過渡。隨著產品產量的增加，這對於推動規模經濟非常重要，” 意法半導體汽車和分立器件事業部總裁Marco Monti說。“我們選擇了一種垂直整合的模式，以最大限度地利用我們在整個製造鏈中的專業知識，從高質量的基板到大規模的前端和後端生產。與 Soitec 技術合作的目標是繼續提高我們的製造產量和質量。”
“隨著電動汽車的出現，汽車行業正面臨重大顛覆。我們尖端的 SmartSiC™ 技術將我們獨特的 SmartCut™ 工藝應用於碳化矽半導體，將在加速其採用方面發揮關鍵作用，”Soitec 首席運營官 Bernard Aspar 表示。“Soitec 的 SmartSiC™ 基板與 STMicroelectronics 行業領先的碳化矽技術和專業知識的結合將改變汽車芯片製造的遊戲規則，並將樹立新的標準。”
碳化矽 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導體材料，具有固有特性，在電動汽車和工業過程等關鍵的高增長功率應用中提供優於矽的性能和效率。它可以實現更高效的電源轉換、更輕和更緊湊的設計以及整體系統設計成本的節省——所有這些都是汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。從 150mm 晶圓過渡到 200mm 晶圓將使產能大幅增加，製造集成電路的有用面積幾乎增加一倍，每個晶圓可提供 1.8-1.9 倍的工作芯片。
SmartSiC™ 是 Soitec 的專有技術，它使用 Soitec 專有的 SmartCut™ 技術，將高質量 SiC“供體”晶圓的薄層分開，並將其鍵合在低電阻率“處理”多晶矽晶圓的頂部。然後，工程化基板可提高設備性能和製造產量。優質 SiC“供體”晶圓可以多次重複使用，顯著降低生產它所需的總能耗。
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