Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET

提供業界領先的低通態電阻,使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化,性能得到提升。

芝加哥20241126日訊— Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業技術製造公司,致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣佈推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。

這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展,有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設計人員能夠用來取代多個並聯的低額定電流元件,從而簡化設計流程,提高應用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺絲安裝端子可確保安裝堅固穩定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導通電阻,增強並補充了現有的Littelfuse X4-Class超級接面系列產品組合。與當下最先進的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導通損耗的一系列低壓功率應用,包括:

  • 電池儲能系統(BESS)
  • 電池充電器
  • 電池成型
  • DC/電池負載開關,以及
  • 電源

「新器件將允許設計人員用一個器件解決方案取代多個並聯的低額定電流裝置。」Littelfuse全球產品行銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示, 「這種獨特的解決方案簡化了閘極驅動器設計,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率。」

超級結X4級功率MOSFET具有以下主要性能優勢:

  • 低傳導損耗
  • 最少的並行連接工作量
  • 驅動器設計簡化,驅動器損耗最小
  • 簡化的熱設計
  • 功率密度增加

為什麼對於看重極小導通損耗的應用來說具有低導通電阻的MOSFET是首選?

對於看重極小導通損耗的應用來說,具有低導通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導損耗,提高效率,並減少發熱。因此,它們非常適合電源、電機驅動器和電池供電設備等功率敏感型應用,在這些應用中,保持高效率和熱管理至關重要。

性能指標

性能指標IXTN500N20X4IXTN400N20X4
封裝氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B
通態電阻RDS(on) = 1.99mΩ @ Tvj = 25°CRDS(on) = 3mΩ @ Tvj = 25°C
高標稱額定電流500A @ TC = 25°C340A @ TC = 25°C
柵極電荷Qg = 535nCQg = 348nC
熱阻RthJC = 0.13K/WRthJC = 0.18K/W

Littelfuse公司 提供

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